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三星与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存_蜘蛛资讯网

济日报》援引未具名业内人士的话报道,三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。 三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子”模型,能以比现有模型快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能,并公布了研究成果。基于相关研究成果,三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。责任编辑:王永生
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发布时间:00:36:40




